文｜钱丽娜

ID | BMR2004

7月29日深夜，长江存储发布声明，否认网传“美国专利商标局裁定其核心3D NAND专利全部无效”及“相关概念股全线暴跌”等不实信息，并透露自2023年11月起已在美对美光发起专利侵权诉讼（涉27项专利、295项权利主张，目前审理中）。公司强调坚持自主创新、合规经营，保留追责权利。

专利实力是长江存储的核心壁垒，也是其推进资本化进程的底气所在。在此前的7月10日，证监会官网披露，长江存储已完成首期辅导工作，中信证券和中信建投合计派出31人组成“辅导天团”，规模远超一般IPO项目，与长鑫科技IPO时的34人辅导阵容基本持平，侧面印证了项目的复杂度与战略级重要性。

长江存储成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM（Integrated Device Manufacture‌，垂直整合制造）企业。

如此豪华的上市辅导阵容，与存储市场的爆发和公司在存储领域的产业地位不无关系。Counterpoint最新发布的《NAND闪存市场追踪报告》显示，受人工智能基础设施需求激增拉动，2026年一季度，全球NAND闪存市场营收达到460亿美元，较2025年一季度暴涨3.5倍。三星稳居行业榜首，市占率29%；SK海力士、铠侠分列其后。长江存储增长势头迅猛，市占率从去年同期的8%提升至13%，持续缩小与闪迪、美光的差距，成为行业第三的有力角逐者。报告显示，长江存储是本季度市场表现最亮眼的厂商，营收同比增幅接近445%。

公开信息显示，长江存储股东涵盖国家集成电路产业投资基金、地方产业平台、金融投资机构及员工持股平台，无单一控股股东。第一大股东湖北长晟发展有限责任公司持股26.5442%，第二大股东武汉芯飞科技投资有限公司持股25.35%，国家集成电路产业投资基金一期、二期合计持股约23%，武汉光谷产业投资有限公司持股9.26%。此外，中国银行、建设银行、交通银行、农业银行、工商银行旗下金融资产投资公司合计持股约3%。

作为华中地区“第一芯”，在AI引发的存储芯片短缺风潮中，即将上市的长江存储的业绩是受惠于芯片周期，还是自身具备了内生增长的动能？长江存储在芯片专利上的突破和布局似乎能给出部分答案。

长江存储的前身要追溯到武汉新芯。2006年，在中芯国际创始人张汝京推动下，湖北省、武汉市及东湖高新区三级政府出资成立武汉新芯，建成华中地区首条12英寸芯片生产线，总投资超百亿元，是湖北省历史上最大的单体投资项目。

武汉新芯刚成立时，由于湖北省和武汉市政府没有电路制造管理经验，便将其交由中芯国际管理。武汉新芯初期生产DRAM，但不久遇到全球DRAM市场的价格暴跌，使其不得不将产品线转向NAND。

早期，武汉新芯的产品主要覆盖消费类、工业物联网、汽车电子等各类终端市场。2008年，武汉新芯12英寸生产线正式完工并开始投片。同年，美国飞索半导体成为客户，武汉新芯为其代工NAND闪存，积累了芯片制造的经验和技术。美国飞索半导体成立于2003年，由AMD和富士通两家的闪存业务合并成立，是当时全球最大的专业从事闪存开发、生产和营销的跨国企业，在NOR闪存的市场占有率处于世界领先地位。

然而，在2008年金融危机中，美国飞索半导体申请破产保护，双方的合作一度暂缓，武汉新芯陷入订单不足的窘境。投入巨资而不能实现盈利时，台积电、美光等企业都曾试图入股或收购武汉新芯。

2012年8月，中芯国际原COO杨士宁博士加入武汉新芯，2013年，武汉新芯开始独立运营。杨士宁到任后，搭建完备的研发、运营、市场管理架构，培育本土专业团队，确立自主研发发展方向。

2013年，兆易创新成为武汉新芯的重要客户，其采购金额达到6549万元，占采购总额比例达9.45%。

2016年7月26日，长江存储正式成立，总投资达240亿美元。公司注册资本分两期出资，其中一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，在武汉新芯的基础上建立长江存储，武汉新芯成为长江存储的全资子公司，规划产能为10万片/月。二期由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。公司在成立之初即明确了发展方向：专注于3D NAND闪存的设计、制造与销售，目标成为全球领先的存储器制造商，杨士宁担任长江存储总经理。

2018年出版的《芯事》一书中提到，杨士宁当时分析认为，从半导体存储器技术分类来看，DRAM和NAND闪存的总产值占全球存储器产业的绝对主体。当时DRAM的增长需求相对缓慢，而NAND闪存的需求量将随着云端运算、智能终端机的发展而持续增长10倍。大陆市场的内在需求庞大，占全球市场的一半以上。长江存储成立时，遇到了市场、资金(国家“大基金”的资金和政策支持)和人才的大好时机。

不过，利好加持的另一面，是存储芯片行业具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大的特性，杨士宁面对着一个非常艰巨的国产化挑战。

早在2014年10月，长江存储3D NAND项目正式启动之时，杨士宁就意识到，唯有自主创新，才能弥合与全球头部厂商明显的技术差距。彼时，3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元形成存储串结构，突破传统的X/Y平面微缩限制，为NAND闪存的微缩路径拓展出更广阔的前景，但制造工艺复杂。在国际上，三星、美光、SK海力士、铠侠等公司通过持续的工艺创新，不断推高堆叠层数。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款32层 3D NAND闪存，三星已在同年量产64层产品，技术代差明显。正是基于这一清醒认知，长江存储从起步阶段就以突破性自主架构为突围方向，快速追赶国际先进水平。

2018年8月，长江存储在全球顶级闪存峰会“Flash Memory Summit”上发布了其革新技术晶栈®Xtacking®架构，并一举斩获大会最高荣誉“最具创新初创闪存企业”奖项。至2025年，长江存储正式出货第五代3D TLC NAND闪存，总层数达到294层，拥有232个有源层，基于完全自主知识产权的Xtacking 4.0技术。

在晶栈®Xtacking®架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。长江存储通过创新布局和缜密验证，经过长达9年在3D IC领域的技术积累和4年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。传统3D NAND把“存储仓库”和“控制电路”做在同一片晶圆上，互相干扰。晶栈®Xtacking®架构则把两者分开做在两片晶圆上。第一片晶圆专门盖“存储仓库”，想堆多少层就堆多少层，第二片晶圆专门做“控制高速公路”，用最先进的工艺保证速度快，最后用混合键合技术把两片晶圆精准粘在一起，精度要求正负0.5微米。这一技术的优势是存储密度更高、速度更快、研发周期更短。随着层数的不断增高，基于晶栈®Xtacking®所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。

知识产权（IP）是芯片企业竞争的利器，存储芯片专利几乎都被国际巨头垄断。如果中国存储厂商在大力投入下取得相应的成就，随之而来不可避免的就是专利战。在长江存储凭借独创的晶栈®Xtacking®架构‌实现了3D堆叠技术的换道超车后，有韩媒报道，三星电子跟长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从下一代闪存芯片（V10 NAND）开始使用长江存储的专利技术，特别是“混合键合”技术。而与创新技术相关的专利攻防战也随即开启。

长江存储在技术上取得领先优势后，开始利用国际规则为自己的长远发展布局。公开信息显示，长江存储围绕晶栈®Xtacking®架构的全球专利超12800件，混合键合核心专利119件。对此，北京中银律师事务所党委书记、高级合伙人李征认为，一套成熟的存储核心架构专利矩阵，通常遵循由内而外的4层布局逻辑。首先，最核心的是基础架构专利，像晶栈®Xtacking®这样“两片晶圆分离制造再键合”的整体架构设计，专利数量不多但价值最高，是整个技术路线的根基，只要对手走同一条技术路线就很难绕开。其次，是工艺专利，涵盖混合键合的具体工艺参数、刻蚀方法、堆叠技术等实现层面的技术，数量比架构专利多，用来保护具体的制造路径。再次，是应用衍生专利，就是基于核心架构针对不同应用场景做的优化变种，比如针对手机消费级场景优化的、针对数据中心企业级场景优化的、针对车载高可靠性场景优化的不同版本，把核心技术的价值延伸到各个细分市场。最后，是外围控制IP，包括控制电路、接口技术、纠错算法等周边配套技术，虽然不是最核心的，但数量庞大，能形成包围圈，大幅增加对手的规避难度。

李征指出，过往中国芯片企业在专利布局上吃过不少亏。DVD时代，中国厂商的产量位居全球第一，但核心专利都掌握在国外6C联盟手中，每台机器要交十几美元专利费，最后盈利抵不上专利费。华为、大疆早年出海也频繁遭遇专利诉讼，此后才开始大规模系统性地布局专利。不少中小企业只在中国申请专利，产品卖到欧美后才发现专利有国界，一出国门就被起诉。

专利布局有两种策略：防御型专利布局是将开发自家产品所产出的研发成果进行专利保护，目的是防止他人抄袭自家产品；而进攻型专利布局则是在竞争对手的技术路径上布局专利，使得竞争对手的产品落入专利权范围。防御型专利布局的好处是成本低、针对性强，主要围绕自己的产品申请专利保护自己不被起诉，但只能被动挨打，没法主动出击。

长江存储在晶栈®Xtacking®上采取的是攻防一体、全球同族同步申请的布局，从一开始就避免了大量潜在问题。攻防一体意味着专利不仅用来自保，还能主动起诉侵权者，谈判桌上有硬通货；全球同族同步申请则是同一天在中国、美国、欧洲、日本等主要市场提交申请，既避免了“先在国内公开再去国外申请丧失新颖性”的问题，也防止了自己在不同国家的申请互相成为抵触申请。

但晶栈®Xtacking®专利同步在中国、美国、德国、英国、欧洲布局时，要面对各国审查标准差异带来的风险，最核心的差异体现在创造性标准上。相对来说美国比较宽松，更看重“商业成功”“长期未解决的需求”这类辅助因素。欧洲最为严格，采用“问题—方案”法来判断显而易见性。显而易见性是指对这个领域的普通工程师来说，某项技术方案是不是“动动脑子就能想出来”，如果是显而易见，说明没有创造性，则不能授权，因而很多在中国和美国能授权的专利到了欧洲可能被驳回。中国专利申请目前居中，逐渐和国际接轨，主要通过“三步法”来判断：即确定最接近的现有技术；确定发明的区别特征和发明实际解决的技术问题；和判断要求保护的发明对本领域的技术人员来说是否显而易见。

另一个重要差异是公开充分性。欧洲的要求最高，专利说明书必须写得足够详细，让本领域技术人员照着就能复现出来。而美国相对宽松，可以保留一些技术细节。此外各国对权利要求的解释规则也不一样，同样的文字在不同国家可能解读出不同的保护范围。

李征指出，这些差异会带来三个布局风险：一是同一个专利家族在不同国家的命运可能不一样，有的授权有的驳回，保护范围碎片化；二是写专利申请书的时候要同时兼顾三套标准，撰写难度和成本都很高；三是对手可以在不同国家分别发起无效挑战，专利权人要疲于应付。所以做全球专利布局一定要提前研究各国标准，在撰写阶段就做好针对性设计。

2023年，长江存储在美国起诉美光某些3D NAND产品侵犯其8项美国专利，后续又追加了20项左右的专利侵权；美光则同步向美国专利及商标局提起了大量针对长江存储的知识产权无效挑战。

李征说，在跨境专利诉讼中，被告通过反诉策略牵制原告诉讼节奏是常见的抗辩手段。以美光为例，在长江存储以8项专利提起侵权诉讼后，美光随即针对长江存储提起专利侵权反诉，并同步向美国专利及商标局提起多项多方复审无效挑战，形成“不侵权抗辩+反诉+专利无效”的组合抗辩策略，旨在通过多线作战分散原告精力、干扰诉讼节奏。

从涉外知识产权律师的角度看，企业如果遭遇出口管制和对方主体抗辩，一定要提前做证据预埋。长江存储案中，美光的抗辩逻辑很清晰：先主张长江存储是国资背景、受中国政府控制，再加上被列入美国实体清单属于受管制实体，最后推导出来它不是“真实利害关系人”，没有资格在美国起诉。

李征建议，要应对这种抗辩，企业需要提前从五个方面预埋证据：第一是公司治理独立性证据，比如公司章程、董事会决议记录，证明企业是市场化运营的市场主体，不是政府的工具；第二是专利权属清晰的证据；第三是实际受损的证据；第四是合规运营证据；第五是全球同族专利布局的证据，证明这是全球性的技术资产布局，不是专门针对某个国家的。目前这个案件里美国专利及商标局曾部分采纳美光的抗辩，但后续法院还在审理中，最终结果还需要观察。

在案件证据开示阶段，长江存储申请调取美光蚀刻配比等核心工艺文件，但美光以商业秘密、国家安全抗辩，法院出具保护令（Protective Order）强制披露。李征认为，跨境专利诉讼中的涉密技术证据开示，是知识产权案件中高度敏感的核心环节。在案件中，双方围绕核心工艺参数的披露产生了重大争议。法院最终裁定美光须在保护令框架下向原告方披露相关技术证据。

长江存储在美国与美光开打专利战时，同时在欧洲统一专利法院、德国、英国起诉美光及其分销商安富利。在李征看来，这种多国平行诉讼是现在跨境专利战的标准打法，策略价值非常明显。

首先是能全面封杀市场，真正形成压力。其次是各国诉讼策略上可以互补，德国审理速度快，适合快速拿到禁令给对方施压，美国赔偿金额高、证据开示范围广，适合打损害赔偿、挖对方内部资料；欧洲统一专利法院效率最高，一纸判决覆盖多个欧盟成员国，但相应的风险也最大，输了就是全军覆没。最后是增加谈判筹码，对方要同时在好几个国家应诉，律师费、人力成本都是成倍增加，压力大了自然更愿意坐下来和解。最后是判决可以互相影响。

李征认为，长江存储连同分销商安富利一起告，这一策略的好处一是让整个销售链条都停下来，禁令的实际效果更好；二是分销商所在地的法院也有管辖权，等于多了可选的法院选项。各国禁令标准和损害赔偿计算方式的差异，也给原告留下了很多博弈空间，可以根据不同法院的特点设计不同的诉讼重点。

三星由于晶栈®Xtacking®混合键合专利的不可规避性，与长江存储达成数千万美元级全球授权。李征认为，这是多重技术与专利因素共同作用的结果，并非单一专利的价值体现。

首先是技术路线，3D NAND堆叠层数达到一定数值后，传统单片晶圆架构遭遇物理极限，混合键合技术已成为下一代产品研发的必选技术路径，厂商的技术选择空间大幅收窄。

其次是专利布局的系统性与密集度。长江存储围绕混合键合技术布局了100多件核心专利，覆盖工艺方法、器件结构等多个技术维度，系统性规避数十件关联专利的技术难度与成本极高。

再次是基础架构专利的精准卡位，晶栈®Xtacking®“两片晶圆分别制造再垂直键合”的核心架构属于底层基础专利，采用该技术路线即难以实现完全规避。

最后是量产验证形成的技术成熟度优势，晶栈®Xtacking®架构已实现多代产品量产，相关专利技术经过实际生产验证，在稳定性与可靠性方面具备产业化优势，区别于实验室阶段的未验证专利。

从三星的决策维度分析，其并非完全缺乏替代选项：自主研发替代方案预计需3—5年的周期，且仍存在专利侵权风险，研发周期过长将错失市场窗口期；获取相关领域专利授权则存在技术适配性问题。综合评估技术可行性、研发周期与商业成本，直接获取长江存储专利授权是综合成本最优的技术路径。

头部存储企业间的专利交叉许可是行业长期形成的惯例。三星、美光、SK海力士等行业巨头各自拥有数万件专利储备，频繁的专利诉讼不符合双方商业利益，因此通常采取交叉许可方式解决争议——相互授权专利实施权，多数情况下互不收取许可费，或根据专利价值差异支付差额许可费，形成相对稳定的专利制衡格局。但在李征看来，三星向长江存储单向支付许可费之所以具有标志性意义，正是因为其突破了巨头间的传统许可模式。

李征认为，该交易的特殊性在于并非双向交叉许可，而是纯粹的单向许可付费，表明在混合键合这一关键技术领域，长江存储的专利实力形成了相对优势：三星持有的相关专利对长江存储不构成实质性约束，而长江存储的混合键合核心专利对三星具有不可替代性。

这一交易对全球存储专利许可格局的标志性影响体现在多个维度，最重要的是竞争格局重构，全球存储专利领域正从传统的美国、日本、韩国三强格局，向中国、美国、日本、韩国四方制衡格局演变，中国企业首次在核心技术专利层面获得对等谈判筹码。长江存储后续与其他头部企业开展专利交叉许可谈判时，将拥有核心技术筹码，改变此前相对被动的谈判地位。此外，晶栈®Xtacking®架构存在逐步成为下一代3D NAND事实技术标准的可能性，其专利价值将进一步放大。

李征指出，长江存储的专利布局有不少可复制的成功经验，但也有一些需要特别注意规避的法律坑。

可复制的经验主要有：1.架构创新先行。技术开发要找差异化的架构创新点，专利价值高，也不容易被抵触申请打掉。2.全球同步布局。3.分层构建专利矩阵。从最核心的基础架构，到具体的工艺方法，再到各种应用衍生以及外围控制IP，一层一层布防，形成专利网。4.攻防一体的思维，申请专利不能只想着保护自己，还要考虑这些专利能不能用来起诉竞争对手、能不能作为交叉许可的谈判筹码，要站在公司战略层面考虑专利布局。5.专利和量产同步推进。产品研发和专利申请要同步走，量产验证过的专利价值会高很多，诉讼的时候也更容易站住脚。

李征说：“长期对等制衡的关键不是某一个点超越对手，而是形成‘你中有我、我中有你’的格局——你告我侵权，我也能告你侵权，最后大家坐下来交叉许可，这才是真正的对等。目前长江存储在混合键合这个点上已经实现了突破，但整体上还需要继续积累。”